Etude et simulation d’un transistor HEMT à base de GaN pour les applications à haut débit

Abstract

Dans le domaine de la microélectronique à haute fréquence et haute puissance, les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) sont largement employés. Les matériaux à base de GaN se distinguent comme des choix pertinents pour la conception de ces transistors avancés. Actuellement, l'utilisation de matériaux tels que InAlN,GaN présente moins d'inconvénients dus à divers phénomènes, offrant ainsi des propriétés prometteuses pour les applications de haute puissance et de haute fréquence. Ce mémoire se concentre sur la proposition d'un modèle de simulation pour les transistors HEMT basés sur l'InAlN/GaN. Il explore l'influence de différents paramètres physiques sur la densité électronique et électrique en utilisant le logiciel Nextnano. Les résultats de simulation sont ensuite comparés avec des données expérimentales pour valider le modèle proposé