| dc.description.abstract | Dans le domaine de la microélectronique à haute fréquence et haute
puissance, les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) sont
largement employés. Les matériaux à base de GaN se distinguent comme
des choix pertinents pour la conception de ces transistors avancés.
Actuellement, l'utilisation de matériaux tels que InAlN,GaN présente
moins d'inconvénients dus à divers phénomènes, offrant ainsi des
propriétés prometteuses pour les applications de haute puissance et de
haute fréquence.
Ce mémoire se concentre sur la proposition d'un modèle de simulation pour
les transistors HEMT basés sur l'InAlN/GaN. Il explore l'influence de
différents paramètres physiques sur la densité électronique et électrique en
utilisant le logiciel Nextnano. Les résultats de simulation sont ensuite
comparés avec des données expérimentales pour valider le modèle proposé | en_US |