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Analyse comparative des propriétés électroniques pour des couches semiconductrices

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MM537-043 (3.707Mo)
Date
2025
Auteur
BACHIR BACHA, Abdelghani
Metadata
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URI
http://dspace.univ-tissemsilt.dz/handle/123456789/3103
Collections
  • Electronique " Instrumentation " [36]
Résumé
Résumé Des films minces d'oxyde de zinc (ZnO) ont été déposés sur des substrats en verre à une température de 375 °C par la technique de spray pyrolyse, puis soumis à un recuit thermique à des températures variant de 320 °C à 380 °C pendant 1 heure à l'air. L'impact de la température de recuit sur les propriétés structurelles, optiques et électriques des films a été analysé. La diffraction des rayons X a révélé une structure hexagonale wurtzite, avec une orientation préférentielle (002) marquée, et une augmentation de la taille des cristallites avec la température de recuit. Les spectres de transmittance optique ont montré une transmittance maximale de 79 % dans la région visible pour les films recuits à 360 °C. La bande interdite optique directe a évolué de 3,20 eV pour les films déposés à 3,31 eV après recuit à 360 °C. Les mesures de résistivité ont montré une diminution significative, passant de 5,99 × 10² Ω.cm à 0,725 × 10¹ Ω.cm pour les films recuits à 360 °C. Mot clé: ZnO, spray pyrolyse, structurelles, optiques, électriques Abstract Zinc oxide (ZnO) thin films were deposited onto glass substrates at 375 °C using the spray pyrolysis technique, and then subjected to thermal annealing at temperatures ranging from 320 °C to 380 °C for 1 hour in air. The impact of annealing temperature on the structural, optical, and electrical properties of the films was analyzed. X-ray diffraction results revealed a hexagonal wurtzite structure with a marked preferential (002) orientation, and an increase in crystallite size with annealing temperature. Optical transmittance spectra showed a maximum transmittance of 79% in the visible range for films annealed at 360 °C. The direct optical band gap increased from 3.20 eV for as-deposited films to 3.31 eV after annealing at 360 °C. Resistivity measurements showed a significant reduction, from 5.99 × 10² Ω.cm for the as- deposited films to 0.725 × 10¹ Ω.cm for films annealed at 360 °C. Keywords: ZnO, spray pyrolysis, structural, optical, électrical

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