Élaboration et caractérisation de couches minces pour applications photovoltaïques
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Résumé
La synthèse réussie de films minces de ZnO non dopé, dopé à l'Al et dopé
à l'Sn a été réalisée en utilisant la méthode de pyrolyse par pulvérisation.
On a utilisé différents composés tels que le nitrate de zinc (Zn(NO3)2), le
chlorure d'étain (SnCl2) et le nitrate d'aluminium (Al(NO3)3) comme
produits chimiques de départ. L'ajout d'Al, de Sn et d'Al-Sn ensemble n'a
pas altéré la structure hexagonale wurtzite du ZnO selon la diffraction des
rayons X. Les films de ZnO non dopés obtenus étaient fortement orientés
le long du plan cristallin préféré (002), tandis que les films de ZnO dopés à
l'Al, au Sn et codopés au Sn-Al présentaient une légère perte de
cristallinité et n'étaient pas orientés. Les mesures optiques ont montré
que la transparence optique est passée de 67 % à 79 % et que l'énergie de
la bande interdite (Eg) est passée de 3,16 eV à 3,27 eV. La conductivité
électrique est devenue plus élevée avec la concentration de codopage Al-
Sn, atteignant 0,992 (Ω cm)-1.