| dc.description.abstract | Le but de ce travail de mémoire est d’étudier les propriétés physiques de l’alliage substitutionnel
InxGa1-xAs en fonction de la concentration x de l’indium. Des calculs numériques ont été
effectués en utilisant des méthodes de premier principe. Des supercellules représentant les
compositions x = 0,125, 0,25, 0,53 et 0,75 ont été créées. Les paramètres cristallins optimisés
sont en cohérence avec les résultats expérimentaux et théoriques de la littérature.
L’étude de la structure électronique montre que l’alliage InₓGa₁₋ₓAs possède un gap direct dont
l’énergie décroît avec l’augmentation de la concentration d’indium. L’analyse de la densité
d’états met en évidence une forte contribution des états p de As et s de In dan s la bande de
valence, ainsi que des états s et p de In dans la bande de conduction.
L’analyse des propriétés optiques montre un déplacement des spectres optiques et du seuil
d’absorption vers les basses énergies (infrarouge), une polarisation qui s’accroî t avec la
concentration d’indium et une variété de transitions optiques actives pour In₀.₅₃Ga₀.₄₇As.
L’allure numérique de la fonction de perte d’énergie électronique ELF(ω) de In₀.₅₃Ga₀.₄₇As est
en accord avec les courbes expérimentales introduites dans ce mémoire, confirmant la fiabilité
des simulations numériques. Les résultats trouvés révèlent que des concentrations d’indium
supérieures à 25 % confèrent à l’alliage InxGa1-xAs des caractéristiques optoélectroniques
intéressantes pour les détecteurs UV et IR, les LEDs photoluminescentes et les panneaux
solaires à haut gain optique. | en_US |