Browsing by Subject "HEMTs; InAlN/GaN;Nextnano"
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Etude et simulation d’un transistor HEMT à base de GaN pour les applications à haut débit
(2024)Dans le domaine de la microélectronique à haute fréquence et haute puissance, les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) sont largement employés. Les matériaux à base de GaN se distinguent ...