Élaboration et caractérisation de couches minces pour applications photovoltaïques

Abstract

La synthèse réussie de films minces de ZnO non dopé, dopé à l'Al et dopé à l'Sn a été réalisée en utilisant la méthode de pyrolyse par pulvérisation. On a utilisé différents composés tels que le nitrate de zinc (Zn(NO3)2), le chlorure d'étain (SnCl2) et le nitrate d'aluminium (Al(NO3)3) comme produits chimiques de départ. L'ajout d'Al, de Sn et d'Al-Sn ensemble n'a pas altéré la structure hexagonale wurtzite du ZnO selon la diffraction des rayons X. Les films de ZnO non dopés obtenus étaient fortement orientés le long du plan cristallin préféré (002), tandis que les films de ZnO dopés à l'Al, au Sn et codopés au Sn-Al présentaient une légère perte de cristallinité et n'étaient pas orientés. Les mesures optiques ont montré que la transparence optique est passée de 67 % à 79 % et que l'énergie de la bande interdite (Eg) est passée de 3,16 eV à 3,27 eV. La conductivité électrique est devenue plus élevée avec la concentration de codopage Al- Sn, atteignant 0,992 (Ω cm)-1.